电子器件基础

一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业3单选题答案 1、在MOS晶体管中，用于防止栅击穿的常见保护措施是（） A、并联输入二极管 B、串联输入电阻 C、增加栅氧化层厚度 D、降低栅极电压 正确答案：A 2、实现金属-半导体欧姆接触的常用方法是： A、轻掺杂接触区 B、高掺杂接触区 C、使用高功函数金属 D、增加界面态密度 正确答案：B 3、影响MOS结…

一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业2单选题答案 1、双极型晶体管（BJT）的三个区分别是（） A、源极、漏极、栅极 B、发射极、基极、集电极 C、阳极、阴极、控制极 D、正极、负极、中间极 正确答案：B 2、晶体管的基本结构中，发射区和基区之间的PN结称为： A、集电结 B、发射结 C、基结 D、输出结 正确答案：B 3、晶体管要实现电流放大，发射…

一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业1单选题答案 1、1.Si单晶体的结构属于（）结构。 A、金刚石 B、闪锌矿 C、面心立方 D、体心立方 正确答案：A 2、下列材料中属于半导体的是： A、铜 B、硅 C、玻璃 D、橡胶 正确答案：B 3、在本征半导体中，电子浓度与空穴浓度之间的关系是： A、电子浓度>空穴浓度 B、电子浓度<空穴浓度 …