2026年春江苏开放大学电子器件基础作业1答案

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一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业1单选题答案

1、1.Si单晶体的结构属于（）结构。

A、金刚石

B、闪锌矿

C、面心立方

D、体心立方

正确答案：A

2、下列材料中属于半导体的是：

A、铜

B、硅

C、玻璃

D、橡胶

正确答案：B

3、在本征半导体中，电子浓度与空穴浓度之间的关系是：

A、电子浓度>空穴浓度

B、电子浓度<空穴浓度

C、电子浓度=空穴浓度

D、两者无关

正确答案：C

4、N型半导体中多数载流子是：

A、电子

B、空穴

C、离子

D、中子

正确答案：A

5、费米能级是描述的是：

A、电子能量分布的概率

B、半导体材料的导电能力

C、载流子的迁移率

D、半导体材料的晶格结构

正确答案：A

6、PN结形成的内建电场方向是：

A、从N区指向P区

B、从P区指向N区

C、从中间向两侧

D、无固定方向

正确答案：A

7、PN结正向偏置时，电流主要由（）形成

A、少数载流子注入

B、多数载流子扩散

C、势垒区复合

D、雪崩击穿

正确答案：B

8、下列哪种击穿机制是PN结常见的反向击穿机制？

A、热击穿

B、隧道击穿

C、雪崩击穿

D、以上都是

正确答案：D

9、PN结空间电荷区又称为:

A、扩散区

B、中性区

C、耗尽区

D、反型层

正确答案：C

10、PN结反偏时，反向电流主要由（）组成

A、多子漂移电流

B、少子抽取电流

C、势垒区产生电流

D、扩散电流与产生电流

正确答案：B

11、势垒电容与外加电压的关系是（）

A、与电压无关

B、随正偏压增大而增大

C、随反偏压增大而增大

D、随反偏压增大而减小

正确答案：D

12、扩散电容主要出现在（）

A、反偏PN结

B、正偏PN结

C、零偏PN结

D、击穿状态

正确答案：B

13、PN结正偏时，势垒高度（）

A、增加

B、减小

C、不变

D、消失

正确答案：B

二、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业1判断题答案

1、PN结空间电荷区的形成是由于载流子的扩散与漂移运动达到平衡所致，这时对应PN结两侧交界处存在一个接触电势差U。

A、正确

B、错误

正确答案：A

2、一种半导体的本征载流子浓度ni与这种材料的禁带宽度Eg无关。

A、正确

B、错误

正确答案：B

3、半导体晶体一个重要的特性就是所谓的各向异性。因此，制造不同类型的器件通常需要选择不同的晶向。

A、正确

B、错误

正确答案：A

4、肖克莱方程指出，一个PN结的电流电压关系满足线性关系。

A、正确

B、错误

正确答案：B

5、N型半导体材料的费米能级高于禁带中心Ei，其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低

A、正确

B、错误